借助离子束背散射和沟道技术结合透射电子显微镜分析，研究了在３００Ｋ和７７Ｋ下硅中注入ＢＦ＾＋２辐射损的反常行国。结果发现ＢＦ＾＋２注入在硅中产生的损伤层或无......